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添加时间:2018-10-16

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  5.外部接点: 无电压接点。RUN/STOP :开路:运行 闭合:停机 MAN/AUTO: 手动/自动(闭合为手动)

  8.缺相报警问题:可自动判别三相电缺相.。但在S、T两相上的电源缺相时,处于控制板无电源的停机状态,报不亮。

  杭州西子固体继电器有限公司成立于1992年(原名为杭州西子固态继电器厂),公司位于杭州市风景区玉泉旁,距著名的高等学府--浙江大学(总部)正大门仅150米。经过十余年的发展,杭州西子固体

  继电器有限公司已成为国内交流固体继电器、交流调压模块最主要优质生产供应商之列,公司自主研制开发、命名、生产的十大系列产品:调压模块、整流模块等现已成为国内许多同行厂家的仿制标准

  。 杭州西子固体继电器有限公司自成立以来,一直秉承自主创新开发和生产优质产品两条办厂方针: 自主创新开发: 目前我公司生产的十一大类系列产品中,只有单相交流固体继电器、三相交流固体

  继电器和R系列固体调压器为国内外同行的通用产品,其余八大系列产品均为我公司最先自主开发,包括产品名称和产品型号的命名、技术指标的规范和性能的说明以及产品外型尺寸的确定等。这八大类

  产品在推出后经用户要求不断改进,性能日趋完善,在国内外被大量使用(截止2005年11月已有3530余家客户直接向我公司购买过产品)。 生产优质产品:在1997年庆香港回归(广场和工育馆)

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  大型晚会演出中,国产设备灯光控制用的固体继电器采用我公司的产品,从而确立了我公司固体继电器在国内的质量地位

  低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低

  。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

  IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场越来越多见;

  IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 [1]

  左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧

  靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的

  功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。

  IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相

  同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的

  低导通压降两方面的闪光点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的亮点,驱动功率小而饱和压降低。格外适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机,变频器,开关电源,照明电路,牵引传动等领域。

  IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、

  放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几

  IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围

  动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。

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